闩锁（latch up）是互补金属氧化物半导体（CMOS）电路中因寄生P-N-P-N结构形成低阻通路的现象，被《计算机科学技术名词》第三版确定为规范术语。该效应由NMOS有源区、P衬底、N阱和PMOS有源区构成的寄生双极晶体管形成正反馈回路触发，易引发电源与地短路、芯片烧毁或功能失效。静电放电和电压瞬变是主要诱因。CMOS工艺发展史上，闩锁效应曾阻碍其商业化进程。现代抑制措施包括设计隔离结构、电源...
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