绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor，IGBT）是由栅极、集电极和发射极构成的三端复合型半导体器件，结合电力晶体管与电力场效应晶体管优势，通过栅极电压控制通断，利用电导调制效应降低通态压降，具有高输入阻抗和低导通损耗特性，主要应用于光伏逆变器、新能源汽车电控系统及工业变频设备。早期，瑞士ABB公司开发出8kV高压器件，德国EUPEC也推出了6500V高...
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